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磁控濺射鍍膜儀基本介紹
日期：2024-12-05 10:23
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摘要：
磁控濺射鍍膜儀基本介紹
磁控濺射鍍膜儀是一種用于化學(xué)、材料科學(xué)、冶金工程技術(shù)、物理學(xué)領(lǐng)域的工藝試驗(yàn)儀器，于2006年12月30日啟用。
磁控濺射鍍膜儀是一種用于化學(xué)、材料科學(xué)、冶金工程技術(shù)、物理學(xué)領(lǐng)域的工藝試驗(yàn)儀器，于2006年12月30日啟用。
技術(shù)指標(biāo)
1、磁控濺射鍍膜儀主真空室的本底真空優(yōu)于2×10－8Torr；2、四英寸的基片范圍內(nèi)薄膜厚度均勻性優(yōu)于±2％；3、可以濺射磁性和非磁性金屬、進(jìn)行直流和射頻濺射；4、基片可以加熱（800℃）、冷卻（水冷）；5、全自動(dòng)控制；6、18英寸主濺射室；7、高真空泵抽系統(tǒng)；8、超高真空磁控濺射靶；直流/射頻電源；9、4英寸樣品臺(tái)；10、PhaseII-J控制系統(tǒng)。
主要功能
磁控濺射鍍膜儀納米磁性薄膜制備設(shè)備，可以制備納米磁性薄膜，能加熱，共五個(gè)靶位。
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